[实用新型]一种制备晶体硅太阳能电池选择性发射极的设备

摘要

本实用新型公开了一种制备晶体硅太阳能电池选择性发射极的设备。设备包括连续式真空室、气路控制系统、电控系统、加热系统、激光系统、抽气系统。其中真空腔室1为进片腔室，腔室3为出片腔室，进出片室装有可手动开关装下片的真空门，进片室设有对基片加热的预热系统。腔室2为激光掺杂真空室，具有两套可透过玻璃窗垂直射到硅片上的激光系统其中一套为激光轻掺杂系统，另一套为激光重掺杂系统，用来形成选择性发射极。真空室之间以高真空阀门相联接，传动系统为独立无级调速。真空机组由机械泵组、废气处理装置、阀门及管道系统等组成。电控系统的PLC控制器控制气体的压强、加热温度、传动系统。本实用新型可实现激光制备选择性发射极新技术的量化生产。

主权项

一种制备晶体硅太阳能电池选择性发射极的设备，包括连续式真空室、气路控制系统，电控系统、真空抽气系统、激光系统等，其特征在于连续式真空室为三室，将进片、出片、掺杂三个工艺环节分离开来；位于所述激光掺杂室中的激光掺杂系统为两套，激光轻掺杂系统用来在晶体硅表面制备超浅结，激光重掺杂系统对晶体硅片上的栅格位置进行重掺杂使超浅结变成选择性发射极；分段可独立无级调速的传动系统，适应各段工艺不同的传送速度。