[实用新型]真空隔绝室密封装置有效
| 申请号： | 201120255853.1 | 申请日： | 2011-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN202142507U | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 徐磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种真空隔绝室密封装置，用于真空隔绝室的密封，真空隔绝室一侧壁上具有开口，该侧壁为封接面壁，开口边缘上设有密封件，该真空隔绝密封装置包括隔绝门，所述隔绝门由导磁材料制成，所述真空隔绝室的封接面壁上设有电磁石。在密闭真空隔绝室时，磁铁吸力吸住隔绝门使隔绝门完全贴合封接面壁，抽真空时处于密封状态，气体不会渗入。所述真空隔绝室密封装置具有结构简单，密封效果好，成本低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 隔绝 密封 装置 | ||
【主权项】：
一种真空隔绝室密封装置，用于真空隔绝室的密封，真空隔绝室一侧壁上具有开口，该侧壁为封接面壁，开口边缘上设有密封件，该真空隔绝密封装置包括隔绝门，其特征在于：所述隔绝门由导磁材料制成，所述真空隔绝室的封接面壁上设有电磁石。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
