[实用新型]一种采用直径法控制区熔晶体自动生长系统有效

专利信息
申请号: 201120264257.X 申请日: 2011-07-25
公开(公告)号: CN202175736U 公开(公告)日: 2012-03-28
发明(设计)人: 靳立辉;刘嘉;王遵义;王彦君;赵宏波;李立伟;张雪囡;高树良;沈浩平 申请(专利权)人: 天津市环欧半导体材料技术有限公司
主分类号: C30B13/30 分类号: C30B13/30;C30B29/06
代理公司: 天津中环专利商标代理有限公司 12105 代理人: 王凤英
地址: 300384 天津市西*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 实用新型涉及一种采用直径法控制区熔晶体自动生长系统。本系统包括PLC控制器、PC机、摄像头、发生器、触摸屏、上转、下转、上速和下速伺服电机、多晶和单晶旋转电机、多晶和单晶下降电机以及电磁阀、流量计和传感器。本系统首先设定生长区间和输入控制参数,当直径大于50mm时,开通控制程序,程序根据测到的单晶直径判断生长区间,调用该区间参数并计算,根据参数和计算值完成控制,一个区间生长完成后,程序进入下一个区间,直至进入到等径生长阶段,根据保持功率设定值进行控制。采用本系统,大幅提升区熔法大直径单晶的生产能力,减小区熔人为造成的失误及损失,降低区熔单晶生长的人工劳动强度,可有效提高单晶的一致性质量。
搜索关键词: 一种 采用 直径 控制区 晶体 自动 生长 系统
【主权项】:
一种采用直径法控制区熔晶体自动生长系统,其特征在于:包括PLC控制器、PC机、摄像头、发生器、触摸屏、上转伺服电机、下转伺服电机、上速伺服电机、下速伺服电机、多晶旋转电机、单晶旋转电机、多晶下降电机、单晶下降电机以及用于气体控制的电磁阀、流量计和传感器,其中,PLC控制器分别与PC机、发生器、触摸屏以及用于气体控制的电磁阀、流量计和传感器连接;PLC控制器通过DEVICENET总线与上转伺服电机、下转伺服电机、上速伺服电机、下速伺服电机连接;上转伺服电机与多晶旋转电机连接;下转伺服电机与单晶旋转电机连接;上速伺服电机与多晶下降电机连接;下速伺服电机与单晶下降电机连接;PC机与摄像头连接。
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