[实用新型]一种应用于薄膜沉积工艺的硅片载板有效
| 申请号： | 201120268740.5 | 申请日： | 2011-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN202193845U | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 孙晨财;勾宪芳;魏文文;高荣刚;王鹏;姜利凯 | 申请（专利权）人： | 中节能太阳能科技（镇江）有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/458 | 分类号： | C23C16/458 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 212000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开一种应用于薄膜沉积工艺的硅片载板，包括CFC载板本体(1)，设置在所述CFC载板本体(1)上的若干个凹槽(2)，所述凹槽(2)中设置有规格比所述凹槽(2)小的第二凹槽(3)。本实用新型应用于薄膜沉积工艺的硅片载板，在同一块载板上有多种规格的凹槽，使一块载板可适应多种规格硅片的镀膜要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 薄膜 沉积 工艺 硅片 | ||
【主权项】：
一种应用于薄膜沉积工艺的硅片载板，包括CFC载板本体(1)，设置在所述CFC载板本体(1)上的若干个凹槽(2)，其特征在于：所述凹槽(2)中设置有规格比所述凹槽(2)小的第二凹槽(3)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中节能太阳能科技（镇江）有限公司，未经中节能太阳能科技（镇江）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201120268740.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：固化性树脂组合物、粘合剂组合物、固化体或复合体
- 下一篇：微孔沉淀二氧化硅
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
