[实用新型]一种保护栅源电极与栅漏电极的IGBT功率器件有效
| 申请号： | 201120284013.8 | 申请日： | 2011-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN202153518U | 公开（公告）日： | 2012-02-29 |
| 发明（设计）人： | 王新 | 申请（专利权）人： | 深圳市稳先微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L29/41 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种保护栅源电极与栅漏电极的IGBT功率器件包括IGBT主芯片、P+衬底层、硅片、栅氧化层、多晶硅层、二氧化硅层、PNP三极管P区、PN二极管区，所述P+衬底层设置在硅片下方，该硅片热氧化作为栅氧化层，淀积多晶硅并光刻多晶硅区形成栅极导电层；所述多晶硅上淀积有二氧化硅作为该多晶硅上保护层，光刻淀积的二氧化硅，同时将源极上的淀积二氧化硅腐蚀掉。IGBT主芯片外面边缘还设有PNP三极管P区和PN二极管P区，该PNP三极管P区、PN二极管P区是利用IGBT主芯片中的P+注入形成。本实用新型具有结构简单，制造方便，成本低和产品易保证的诸多优点，具有很强的经济性和实用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 保护 电极 漏电 igbt 功率 器件 | ||
【主权项】：
一种保护栅源电极与栅漏电极的IGBT功率器件，包括IGBT主芯片、P+ 衬底层、硅片、栅氧化层、多晶硅层、二氧化硅层、PNP三极管P区、PN二极管区；其特征是，所述P+ 衬底层设置在硅片下方，该硅片热氧化作为栅氧化层，淀积多晶硅并光刻多晶硅区形成栅极导电层；所述多晶硅上淀积有二氧化硅作为该多晶硅上保护层，光刻淀积的二氧化硅，利用胶保护栅极上的二氧化硅，同时将源极上的淀积二氧化硅腐蚀掉（即将源极的导电窗口打开），IGBT主芯片外面边缘还设有PNP三极管P区和PN二极管P区，其中PNP三极管P区、PN二极管P区是利用IGBT主芯片中的P+注入形成。
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