[实用新型]一种VDMOS栅源侧台保护功率器件有效
| 申请号： | 201120284015.7 | 申请日： | 2011-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN202153519U | 公开（公告）日： | 2012-02-29 |
| 发明（设计）人： | 王新 | 申请（专利权）人： | 深圳市稳先微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种VDMOS栅源侧台保护功率器件，主要包括硅片、栅氧层、多晶硅层、热氧化层、热氧化侧台，所述硅片被热氧化作为栅氧化层，其中多晶硅层下方生长第一氮化硅层作为多晶硅下保护层，多晶硅层充任栅极导电层；所述多晶硅层上面热氧化生成二氧化硅层，该二氧化硅层上生长第二氮化硅层作为多晶硅层上保护层；所述将多晶硅层的侧部通过热氧化形成隔离栅极和源极的热氧化侧台，光刻及腐蚀掉源区的二氧化硅层及氮化硅层形成源极的导电窗口。本实用新型具有结构简单，制造方便，成本低和产品易保证的诸多优点，通过热氧化将多晶硅导电的栅极和源极隔离，从而能使栅极和源极能够有效地短路，大大的提高制造成品率。具有很强的经济性和实用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 vdmos 栅源侧台 保护 功率 器件 | ||
【主权项】：
一种VDMOS栅源侧台保护功率器件，主要包括硅片、栅氧层、多晶硅层、热氧化层、热氧化侧台，其特征是，所述硅片被热氧化作为栅氧化层，其中多晶硅层下方生长第一氮化硅层作为多晶硅下保护层，多晶硅层充任栅极导电层；所述多晶硅层上面热氧化生成二氧化硅层，该二氧化硅层上生长第二氮化硅层作为多晶硅层上保护层；所述将多晶硅层的侧部通过热氧化形成隔离栅极和源极的热氧化侧台，光刻及腐蚀掉源区的二氧化硅层及氮化硅层形成源极的导电窗口。
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