[实用新型]一种可精确控制掺杂区掺杂浓度的半导体器件有效
| 申请号： | 201120284016.1 | 申请日： | 2011-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN202153521U | 公开（公告）日： | 2012-02-29 |
| 发明（设计）人： | 王新 | 申请（专利权）人： | 深圳市稳先微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种可精确控制掺杂区掺杂浓度的半导体器件，包括硅片、二氧化硅氧化层和涂覆层，所述将硅片上表面通过扩散氧化，得到一层能够阻挡杂质源的二氧化硅氧化层；所述二氧化硅氧化层上通过涂覆机涂覆有涂覆层，所述不同掺杂区所需的掺杂浓度不同，调节二氧化硅氧化层的厚度，进而达到精确控制扩散杂质的浓度。本实用新型主要通过在硅片上氧化生成二氧化硅氧化层，控制氧化的厚度精度，达到精确控制扩散杂质的浓度，简化工艺流程，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 精确 控制 掺杂 浓度 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种可精确控制掺杂区掺杂浓度的半导体器件，包括硅片、二氧化硅氧化层和涂覆层，其特征是，所述将硅片上表面通过扩散氧化，得到一层能够阻挡杂质源的二氧化硅氧化层；所述二氧化硅氧化层上通过涂覆机涂覆有涂覆层，所述不同掺杂区所需的掺杂浓度不同，调节二氧化硅氧化层的厚度，进而达到精确控制扩散杂质的浓度。
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