[实用新型]一种IGBT栅源侧台保护功率器件有效
| 申请号： | 201120284019.5 | 申请日： | 2011-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN202153520U | 公开（公告）日： | 2012-02-29 |
| 发明（设计）人： | 王新 | 申请（专利权）人： | 深圳市稳先微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种IGBT栅源侧台保护功率器件，主要包括硅片、热氧化栅氧层、第一氮化硅层、多晶硅层和第二氮化硅层，其中硅片被热氧化作为栅氧化层，该栅氧化层上生长有第一氮化硅层；所述第一氮化硅层上方设有多晶硅层，该第一氮化硅层作为多晶硅下的保护层；所述多晶硅层上表面通过热氧化生成二氧化硅层，该二氧化硅层上方设有第二氮化硅层；所述光刻多晶硅区形成栅极导电层，多晶硅层侧部被热氧化形成隔离栅极和源极的热氧化侧台，通过磷注入形成源电极源区的N+导电区。本实用新型是利用氮化硅在氧气气氛下氧化速率远低于多晶硅的氧化速率，通过热氧化将多晶硅形成隔离栅极和源极的热氧化侧台，从而能使栅极和源极能够有效地短路，提高制造成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 栅源侧台 保护 功率 器件 | ||
【主权项】：
一种IGBT栅源侧台保护功率器件，主要包括硅片、热氧化栅氧层、第一氮化硅层、多晶硅层和第二氮化硅层，其特征是，所述硅片被热氧化作为栅氧化层，该栅氧化层上生长有第一氮化硅层；所述第一氮化硅层上方设有多晶硅层，该第一氮化硅层作为多晶硅下的保护层；所述多晶硅层上表面通过热氧化生成二氧化硅层，该二氧化硅层上方设有第二氮化硅层；所述光刻多晶硅区形成栅极导电层，多晶硅层侧部被热氧化形成隔离栅极和源极的热氧化侧台，通过磷注入形成源电极源区的N+导电区。
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