[实用新型]一种优化铜铟镓硒太阳电池吸收层的装置有效
| 申请号： | 201120288389.6 | 申请日： | 2011-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN202183406U | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 王芸;向光;任志艳;曹欣;曹志强 | 申请（专利权）人： | 蚌埠玻璃工业设计研究院;中国建材国际工程集团有限公司;广东凯盛光伏技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/20 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人： | 杨晋弘 |
| 地址： | 233010 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种优化铜铟镓硒太阳电池吸收层的装置，用于去除铜铟镓硒吸收层中Cu2-xSe，其特征在于：该装置包括一个机架，机架上设有一个横向传动装置（2），在机架上还设有一个处理室（4），在传动装置（2）对应的处理室（4）的两端具有对通的启闭门，在处理室（4）左半部内顶上横向设有一组红外线加热管（1），在处理室（4）的右半部的外壁上横向设有一组冷却管道（3），每个冷却管道（3）沿着处理室外壁的纵向周面设置，在处理室（4）两侧的内壁上还分别设有两条横向放置的加气管（5）。本实用新型的有益效果采用了在整个铜铟镓硒太阳电池生产线中加入可去除铜铟镓硒吸收层中Cu2-xSe的装置，去除了在生产过程中产生的Cu2-xSe，增加了开路电压，减少了截流子的界面复合，提高了铜铟镓硒太阳电池的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 优化 铜铟镓硒 太阳电池 吸收 装置 | ||
【主权项】：
一种优化铜铟镓硒太阳电池吸收层的装置，用于去除铜铟镓硒吸收层中Cu2‑xSe，其特征在于：该装置包括一个机架，机架上设有一个横向传动装置（2），在机架上还设有一个处理室（4），可在传动装置（2）的周围形成一个封闭的空间，在传动装置（2）对应的处理室（4）的两端具有对通的启闭门，在处理室（4）左半部内顶上横向设有一组红外线加热管（1），在处理室（4）的右半部的外壁上横向设有一组冷却管道（3），每个冷却管道（3）沿着处理室外壁的纵向周面设置，在处理室（4）两侧的内壁上还分别设有两条横向放置的加气管（5）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于蚌埠玻璃工业设计研究院;中国建材国际工程集团有限公司;广东凯盛光伏技术研究院有限公司，未经蚌埠玻璃工业设计研究院;中国建材国际工程集团有限公司;广东凯盛光伏技术研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201120288389.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种心包穿刺针固定装置
- 下一篇：一种防盗锁芯
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
