[实用新型]一种硅片转载器有效
| 申请号： | 201120298901.5 | 申请日： | 2011-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN202183407U | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 左云翔 | 申请（专利权）人： | 苏州阿波罗光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/677 |
| 代理公司： | 张家港市高松专利事务所(普通合伙) 32209 | 代理人： | 孙高 |
| 地址： | 215600 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种硅片转载器，其包括：底壁、安装于底壁两端的端壁及安装于底壁两侧的侧壁，上述五壁围绕形成收容硅片的收容空间，所述底壁向外凸设有数个第一凸部，所述端壁与侧壁的下方设有与上述第一凸部相卡扣的数个第一凹槽，所述端壁的两端向外凸设有数个第二凸部，所述侧壁的两端设有与第二凸部相卡扣的数个第二凹槽，所述端壁的中央设有轴杆，所述侧壁设有操作槽，该种硅片转载器不仅可防止金属污染，而且可防止硅片破碎。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 转载 | ||
【主权项】：
一种硅片转载器，其特征在于：所述硅片转载器包括：底壁、安装于底壁两端的端壁及安装于底壁两侧的侧壁，上述五壁围绕形成收容硅片的收容空间，所述底壁向外凸设有数个第一凸部，所述端壁与侧壁的下方设有与上述第一凸部相卡扣的数个第一凹槽，所述端壁的两端向外凸设有数个第二凸部，所述侧壁的两端设有与第二凸部相卡扣的数个第二凹槽，所述端壁的中央设有轴杆，所述侧壁设有操作槽。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州阿波罗光伏科技有限公司，未经苏州阿波罗光伏科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201120298901.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：利用直接空冷电厂余热的集中供热系统
- 下一篇：用于电机输出轴上的皮带轮
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
