[实用新型]晶体硅太阳电池制备用真空吸笔有效
申请号: | 201120299056.3 | 申请日: | 2011-08-17 |
公开(公告)号: | CN202178244U | 公开(公告)日: | 2012-03-28 |
发明(设计)人: | 杨福志;熊亚丽 | 申请(专利权)人: | 云南天达光伏科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 650236 云南省*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | 传统的真空吸笔可分为气动吸笔和手动吸笔两大类,相对在晶体硅太阳电池生产过程而言,存在制作材料粗糙、吸盘材质差、结构方式单一等问题。而本实用新型一种晶体硅太阳电池制备用真空吸笔装置包括外径为Φ6毫米的PU管1,手动阀2,单向节流阀3,减径直通4,6,外径Φ4毫米的PU管5,吸管(一)7,吸管(二)8,小孔9,接头10,吸盘11。该装置采用组合式结构,部件损坏方便更换,采用适当的吸盘皱折,减少了操作中的损耗;晶体硅太阳电池制备用真空吸笔装置使用简单为公司节约了生产成本,提高了生产的效率。 | ||
搜索关键词: | 晶体 太阳电池 制备 真空 | ||
【主权项】:
晶体硅太阳电池制备用真空吸笔包括由外径为Φ6毫米的PU管,手动阀,单向节流阀,减径直通,外径Φ4毫米的PU管,吸管(一),吸管(二),小孔,接头,吸盘所构成,其特征在于,通过调节单向节流阀以改变吸力的大小;通过减径直通,使连接在真空吸笔上的PU管外径只为4毫米;吸管选用1Cr18Ni9的不锈钢材质制作,并采用组合式的结构;为了减小吸片时吸盘对硅片的正压力,选用的吸盘为1.5个皱折,而且吸盘与真空吸笔的连接也是采用组合式。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造