[实用新型]具有双面反射层的碲镉汞光电导探测器的参考元有效
申请号: | 201120320592.7 | 申请日: | 2011-08-30 |
公开(公告)号: | CN202405296U | 公开(公告)日: | 2012-08-29 |
发明(设计)人: | 赵水平;李向阳;朱龙源;刘诗嘉;王妮丽;罗毅;刘向阳;兰添翼;周青 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;G01J5/20 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种具有双面反射层的碲镉汞光电导探测器的参考元,其结构为:在蓝宝石衬底上依次为下反射层,下绝缘层,碲镉汞光导器件层,上绝缘层A,上绝缘层B,铬层,上反射层。该参考元特征在于:蓝宝石衬底与碲镉汞光导器件层之间生长一层钛反射层和二氧化硅绝缘层,器件光敏面上生长一层铬金反射层以及负胶和二氧化硅绝缘层。其优点在于解决了器件背面与表侧面漏光产生响应的问题。 | ||
搜索关键词: | 具有 双面 反射层 碲镉汞光 电导 探测器 参考 | ||
【主权项】:
1.一种具有双面反射层的碲镉汞光电导探测器的参考元,其特征在于:参考元的结构为在蓝宝石衬底(1)上依次是下反射层(2)、下绝缘层(3)、碲镉汞光导器件层(4)、上绝缘层A(5)、上绝缘层B(6)、铬层(7)和上反射层(8);其中,所述的蓝宝石衬底(1)为双面抛光的蓝宝石,厚度为250-300微米;所述的下反射层(2)为金属钛层,厚度为
所述的下绝缘层(3)为二氧化硅绝缘层,厚度为
所述的碲镉汞光导器件层(4)与其它正常工作的碲镉汞光导器件单元结构相同;所述的上绝缘层A(5)为负胶绝缘层,厚度为1-3微米,覆盖在器件层(4)的器件层光敏面(4-1)上;所述的上绝缘层B(6)为二氧化硅绝缘层,厚度为
所述的铬层(7)为过渡层,厚度为
所述的上反射层(8)为金层,厚度为
上绝缘层A(5)、上绝缘层B(6)、铬层(7)和上反射层(8)的二维尺寸要比器件层光敏面(4-1)大10-20微米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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