[实用新型]浮雕式单晶硅敏感电阻条结构有效

专利信息
申请号: 201120321849.0 申请日: 2011-08-31
公开(公告)号: CN202216794U 公开(公告)日: 2012-05-09
发明(设计)人: 童叶青;范传东;叶鹏;周怡;王亚斌 申请(专利权)人: 江苏奥力威传感高科股份有限公司
主分类号: G01L9/02 分类号: G01L9/02;G01L1/20
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 225000 江苏省扬*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 浮雕式单晶硅敏感电阻条结构,包括芯片基体,在芯片基体的表面设置有内凹的嵌槽,所述嵌槽的上部开口的宽度小于嵌槽底部的宽度,进一步的,可以将嵌槽设置成等腰梯形或直角梯形,并且在此基础上,可以进一步的在嵌槽的底部设计成波纹形,以进一步增大连接面积,在所述嵌槽内浇注压敏电阻或测温电阻,并且所述压敏电阻或测温电阻的表面突出于所述芯片基体的表面。由于设计成嵌槽结构,嵌槽呈上窄下宽,并且辅以浇注电阻条的形式,这样就可以使电阻条稳固的镶嵌在嵌槽内,可以抵抗拉力、剪切力、摩擦力等外力作用,使其连接结构更为稳固,能够满足多种应用环境的要求。
搜索关键词: 浮雕 单晶硅 敏感 电阻 结构
【主权项】:
浮雕式单晶硅敏感电阻条结构,包括芯片基体,其特征在于,在芯片基体的表面设置有内凹的嵌槽,所述嵌槽的上部开口的宽度小于嵌槽底部的宽度,在所述嵌槽内浇注压敏电阻或测温电阻,并且所述压敏电阻或测温电阻的表面突出于所述芯片基体的表面。
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