[实用新型]浮雕式单晶硅敏感电阻条结构有效
申请号: | 201120321849.0 | 申请日: | 2011-08-31 |
公开(公告)号: | CN202216794U | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 童叶青;范传东;叶鹏;周怡;王亚斌 | 申请(专利权)人: | 江苏奥力威传感高科股份有限公司 |
主分类号: | G01L9/02 | 分类号: | G01L9/02;G01L1/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 225000 江苏省扬*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 浮雕式单晶硅敏感电阻条结构,包括芯片基体,在芯片基体的表面设置有内凹的嵌槽,所述嵌槽的上部开口的宽度小于嵌槽底部的宽度,进一步的,可以将嵌槽设置成等腰梯形或直角梯形,并且在此基础上,可以进一步的在嵌槽的底部设计成波纹形,以进一步增大连接面积,在所述嵌槽内浇注压敏电阻或测温电阻,并且所述压敏电阻或测温电阻的表面突出于所述芯片基体的表面。由于设计成嵌槽结构,嵌槽呈上窄下宽,并且辅以浇注电阻条的形式,这样就可以使电阻条稳固的镶嵌在嵌槽内,可以抵抗拉力、剪切力、摩擦力等外力作用,使其连接结构更为稳固,能够满足多种应用环境的要求。 | ||
搜索关键词: | 浮雕 单晶硅 敏感 电阻 结构 | ||
【主权项】:
浮雕式单晶硅敏感电阻条结构,包括芯片基体,其特征在于,在芯片基体的表面设置有内凹的嵌槽,所述嵌槽的上部开口的宽度小于嵌槽底部的宽度,在所述嵌槽内浇注压敏电阻或测温电阻,并且所述压敏电阻或测温电阻的表面突出于所述芯片基体的表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏奥力威传感高科股份有限公司,未经江苏奥力威传感高科股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201120321849.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种X射线计算机断层扫描系统和方法
- 下一篇:实验室专用安全量筒