[实用新型]太阳能级多晶硅片有效
申请号: | 201120332873.4 | 申请日: | 2011-09-06 |
公开(公告)号: | CN202205764U | 公开(公告)日: | 2012-04-25 |
发明(设计)人: | 甘大源;刘坤;张顺怡;黄志明 | 申请(专利权)人: | 太仓协鑫光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/04 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 215434 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种太阳能级多晶硅片,其本体为上、下两平行平面组成的方形薄片,该方形薄片的四个角的倒角与棱边成60°角。本实用新型提供的太阳能级多晶硅片与现有技术相比具有以下优点:由精密机床加工而成,其工艺简单、精度高,切割的余料可继续回收利用,很有效的节约了成本;避免了滚磨加工工序,防止了棱角崩边和爆裂的发生,提高了良品率;倒角与棱边成60°角,与现45°倒角相比增大了硅片的可用面积,提高了发电效率;硅片厚度为170±10μm,与传统200μm硅片相比,厚度大幅减小,大大提高了硅片的出产率。 | ||
搜索关键词: | 太阳 能级 多晶 硅片 | ||
【主权项】:
一种太阳能级多晶硅片,其本体(1)为上、下两平行平面组成的方形薄片,其特征在于:所述的方形薄片的四个角的倒角与棱边成60°角。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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