[实用新型]倒装阵列LED芯片有效
| 申请号： | 201120337670.4 | 申请日： | 2011-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN202332837U | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 邓朝勇;杨利忠;李绪诚;张荣芬;许铖 | 申请（专利权）人： | 贵州大学 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L27/15 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 吴无惧 |
| 地址： | 550025 贵州*** | 国省代码： | 贵州;52 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种倒装阵列LED芯片。倒装阵列LED芯片为：阵列LED芯片由多个阵列单元构成阵列，其中所有的阵列单元每一行的p电极层（10）连接，每一列的n电极层（5）连接；所述阵列单元是蓝宝石衬底（2）上方依次覆盖n型缓冲层（3）、n型半导体层（6）、有源层（7）、p型半导体层（8）、透明电极层（9）、p电极层（10）；所有的n电极层（5）和p电极层（10）由绝缘层（4）包覆；其中每一行的p电极层（10）通过p电极层（10）窗口上方的p电极连接金属层（11）连接；在p电极连接金属层（11）表面还有钝化层（12）。 | ||
| 搜索关键词： | 倒装 阵列 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种倒装阵列LED芯片，其特征在于：阵列LED芯片由多个阵列单元构成阵列，其中所有的阵列单元每一行的p电极层（10）连接，每一列的n电极层（5）连接；所述每个阵列单元的结构是蓝宝石衬底（2）上方依次覆盖n型缓冲层（3）、n型半导体层（6）、有源层（7）、p型半导体层（8）、透明电极层（9）、p电极层（10）；所有的n电极层（5）和p电极层（10）由绝缘层（4）包覆；其中每一行的p电极层（10）通过p电极层（10）窗口上方的p电极连接金属层（11）连接；在p电极连接金属层（11）表面还有钝化层（12）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于贵州大学，未经贵州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201120337670.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
