[实用新型]一种用于检测IGZO-TFT驱动特性的装置有效

专利信息
申请号: 201120338472.X 申请日: 2011-09-09
公开(公告)号: CN202404869U 公开(公告)日: 2012-08-29
发明(设计)人: 王彬 申请(专利权)人: 广东中显科技有限公司
主分类号: G09G3/00 分类号: G09G3/00;G09G3/36
代理公司: 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 代理人: 曹津燕
地址: 528225 广东省佛*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型提出一种用于检测IGZO-TFT驱动特性的装置。该用于检测IGZO-TFT驱动特性的装置包括IGZO-TFT驱动单元以及阵列制备所用到的掩模板,数个微胶囊电泳显示单元;该掩模板包含三个功能区,分别为:对准标记区、单个器件区、阵列区域。通过该检测装置,不但能够对阵列TFT晶体管进行驱动性能的检测,而且对单一TFT晶体管也能够实现逐个检测;同时,也可以根据需要对阵列数量进行设定,并且TFT阵列在单像素静态驱动时,能够实现驱动显示功能。另外,采用对准标记区能够加快检测工作的效率和准确性。
搜索关键词: 一种 用于 检测 igzo tft 驱动 特性 装置
【主权项】:
用于检测IGZO‑TFT驱动特性的装置,该装置包括IGZO‑TFT驱动单元以及阵列制备所用到的掩模板,数个微胶囊电泳显示单元;其特征在于:该掩模板包含三个功能区,分别为:对准标记区、单个器件区、阵列区域;所述对准标记区在掩模板的两个边缘,每个边缘采用多个四方块图形作为标记;每个边缘的该四方块图形采用从两端到中间逐渐增大的四方块图形,形成了两端四方块小,中间四方块大的结构;所述单个器件区分两区,第一区域位于掩模板最上端两排,共计8×2个单个TFT;阵列区域包括至少两组阵列,每个阵列可根据实际的需要进行陈列数量选择。
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