[实用新型]一种接触式掩膜版有效
| 申请号： | 201120341324.3 | 申请日： | 2011-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN202230297U | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 罗强;刘勇;刘明;南京 | 申请（专利权）人： | 康可电子（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/48 | 分类号： | G03F1/48 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 陈忠辉 |
| 地址： | 214142 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实用新型揭示了一种接触式掩膜版，在对硅片进行曝光法光刻工艺中与硅片相对接，其特别之处为该掩膜版与硅片相对的一面设有透光性的硬膜涂层。该硬膜涂层的厚度没有特定限制，仅作透光性及耐磨损性两方面要求。实施本实用新型的技术方案，其优点在于相对使用普通掩膜版可以有效延长掩膜版使用寿命十倍以上，且成本增加少于三分之一。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接触 式掩膜版 | ||
【主权项】：
一种接触式掩膜版，在对硅片进行曝光法光刻工艺中与硅片相对接，其特征在于：所述掩膜版与硅片相对的一面设有透光性的硬膜涂层。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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