[实用新型]晶体生长用坩埚结构有效

专利信息
申请号: 201120345204.0 申请日: 2011-09-15
公开(公告)号: CN202226959U 公开(公告)日: 2012-05-23
发明(设计)人: 李留臣;冯金生 申请(专利权)人: 江苏华盛天龙光电设备股份有限公司
主分类号: C30B15/10 分类号: C30B15/10;C30B29/20;C30B35/00
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 罗笛
地址: 213200 江苏省常州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种晶体生长用坩埚结构,在坩埚主体上沿的外圆周处设置一道加强筋B,在坩埚主体的中部外圆周上设置一道以上的加强筋A,所述的加强筋A和加强筋B的截面形状为梯形、方形或圆弧形。本实用新型的坩埚结构,通过在坩埚上沿外表面处和中部设置加强筋,在不明显增加坩埚材料的前提下增强坩埚的强度,从而提高坩埚的使用寿命;结构简单,制造容易,成本低、使用效果明显可广泛应用在蓝宝石晶体生长系统、激光晶体生长系统和其它高温晶体生长系统中。
搜索关键词: 晶体生长 坩埚 结构
【主权项】:
一种晶体生长用坩埚结构,其特征在于:在坩埚主体(1)上沿的外圆周处设置有一道闭合的加强筋B(3),在坩埚主体(1)的中部外圆周上设置有另一道闭合的加强筋A(2)。
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