[实用新型]氮化铝陶瓷基板200瓦30dB衰减片有效
申请号: | 201120352042.3 | 申请日: | 2011-09-20 |
公开(公告)号: | CN202259638U | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 郝敏 | 申请(专利权)人: | 苏州市新诚氏电子有限公司 |
主分类号: | H01P1/22 | 分类号: | H01P1/22 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种大功率氮化铝陶瓷基板200瓦30dB衰减片,其包括一9.55*9.55*1MM的氮化铝基板,所述氮化铝基板的背面印刷有背导层,所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻,所述导线连接所述电阻连接形成衰减电路。该衰减片增大了的电阻面积,使其抗高低温冲击性能增加,避免了在输出端焊接引线时,高温对电阻的淬伤,避免了因电阻被淬伤,在实际使用过程中会坏掉的风险。通过线路的优化设计,改善了衰减片的性能,通过控制表面电阻率精确控制每个电阻的阻值,得到需要的衰减值,填补了国内不能生产200W-30dB氮化铝基板衰减片的空白。 | ||
搜索关键词: | 氮化 陶瓷 200 30 db 衰减 | ||
【主权项】:
一种大功率氮化铝陶瓷基板200瓦30dB衰减片,其特征在于:其包括一9.55*9.55*1MM的氮化铝基板,所述氮化铝基板的背面印刷有背导层,所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻,所述导线连接所述电阻连接形成衰减电路,所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接。
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