[实用新型]氮化铝陶瓷基板200瓦30dB衰减片有效

专利信息
申请号: 201120352042.3 申请日: 2011-09-20
公开(公告)号: CN202259638U 公开(公告)日: 2012-05-30
发明(设计)人: 郝敏 申请(专利权)人: 苏州市新诚氏电子有限公司
主分类号: H01P1/22 分类号: H01P1/22
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215000 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种大功率氮化铝陶瓷基板200瓦30dB衰减片,其包括一9.55*9.55*1MM的氮化铝基板,所述氮化铝基板的背面印刷有背导层,所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻,所述导线连接所述电阻连接形成衰减电路。该衰减片增大了的电阻面积,使其抗高低温冲击性能增加,避免了在输出端焊接引线时,高温对电阻的淬伤,避免了因电阻被淬伤,在实际使用过程中会坏掉的风险。通过线路的优化设计,改善了衰减片的性能,通过控制表面电阻率精确控制每个电阻的阻值,得到需要的衰减值,填补了国内不能生产200W-30dB氮化铝基板衰减片的空白。
搜索关键词: 氮化 陶瓷 200 30 db 衰减
【主权项】:
一种大功率氮化铝陶瓷基板200瓦30dB衰减片,其特征在于:其包括一9.55*9.55*1MM的氮化铝基板,所述氮化铝基板的背面印刷有背导层,所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻,所述导线连接所述电阻连接形成衰减电路,所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接。
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