[实用新型]一种高效DR非晶硅探测板有效
| 申请号： | 201120353279.3 | 申请日： | 2011-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN202523710U | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 孙建松 | 申请（专利权）人： | 孙建松 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;G01N23/04;G01T1/24;G01T1/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 314500 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种高效DR非晶硅探测板，探测板采用双面数据采集，即薄膜晶体管(TFT)+闪烁体涂层(如：碘化铯等)+薄膜晶体管(TFT)，闪烁体涂层两边均有TFT数据采集层，从而增加一倍的数据源，提高了传统DR的X线转换率，降低X线辐射剂量，减少辐射危害。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高效 dr 非晶硅 探测 | ||
【主权项】：
一种高效DR非晶硅探测板，其特征是探测板闪烁体涂层上下均有TFT层供数据采集。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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