[实用新型]硅片边缘氧化膜多种范围去除装置有效
| 申请号： | 201120354468.2 | 申请日： | 2011-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN202259196U | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 李耀东;刘佐星;孙洪波;王海涛;冯丽;徐继平;张果虎 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 程凤儒 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种硅片边缘氧化膜多种范围去除装置，该装置包括氢氟酸蒸汽发生槽、槽盖、吸盘和可充气气囊圈，该吸盘设在槽盖的中心位置，并通过接触式密封连接；该可充气气囊圈粘结在该槽盖的底部，其外形类似于待处理的硅片的形状。所述可充气气囊圈的中心尺寸比待处理硅片的外形尺寸小1～5毫米。所述槽盖的外周设有密封圈。所述可充气气囊圈的外表面涂有一层不溶于氢氟酸的油脂或蜡。通过控制可充气气囊圈中的气体的多少以及可充气气囊圈与硅片的相对位置，来控制可充气气囊圈与硅片的接触面积，从而实现硅片边缘氧化膜多种范围的去除，操作方便，便于推广使用。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 边缘 氧化 多种 范围 去除 装置 | ||
【主权项】：
一种硅片边缘氧化膜多种范围去除装置，其特征在于：该装置包括氢氟酸蒸汽发生槽、槽盖、吸盘和可充气气囊圈，该吸盘设在槽盖的中心位置，并通过接触式密封连接；该可充气气囊圈粘结在该槽盖的底部，其外形类似于待处理的硅片的形状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
