[实用新型]一种基于阳极氧化绝缘层的薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201120355750.2 | 申请日： | 2011-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN202259307U | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 兰林锋;彭俊彪;曹镛;王磊 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L29/51;H01L29/22;H01L29/786 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 罗观祥 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于阳极氧化绝缘层的薄膜晶体管，其包括玻璃基板、栅极、单一氧化绝缘层、沟道层、源极和漏极的制备过程；栅极位于玻璃基板之上，单一氧化绝缘层覆盖在栅极之上，沟道层位于绝缘层之上，源极和漏极分别覆盖在沟道层的两端并且相互间隔。其中单一氧化绝缘层采用阳极氧化的方法制备，沟道层的材料为掺杂氧化锌半导体。该薄膜晶体管具有制备成本及温度低、阈值电压较低、载流子迁移率较高以及开关比高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 阳极 氧化 绝缘 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种基于阳极氧化绝缘层的薄膜晶体管，其特征在于，包括玻璃基板、栅极、单一氧化绝缘层、沟道层、源极和漏极，所述栅极位于玻璃基板之上，单一氧化绝缘层覆盖在栅极之上，沟道层位于单一氧化绝缘层之上，源极和漏极分别覆盖在沟道层的两端并且相互间隔。
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