[实用新型]DIP类集成电路连续充填封装模盒有效
| 申请号： | 201120362078.X | 申请日： | 2011-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN202230989U | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 代迎桃;杨宇;曹杰;姚亮;杨亚萍 | 申请（专利权）人： | 铜陵三佳山田科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 铜陵市天成专利事务所 34105 | 代理人： | 程霏 |
| 地址： | 244000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种DIP类集成电路连续充填封装模盒，它包括镶件座（2）、成型镶件（4）和模盒推板（6），型腔（1）阵列在成型镶件（4）的两侧，成型镶件（4）的中间设有若干个料桶（3），料桶（3）与成型镶件（4）之间设有浇道镶件（8），浇道镶件（8）内设有浇道，料桶（3）通过浇道镶件内的浇道与型腔（1）管连通。本实用新型封装产品的效率大大提高，树脂的流动距离短，树脂残留少，树脂利用率高，节约了大量树脂，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | dip 集成电路 连续 充填 封装 | ||
【主权项】：
DIP类集成电路连续充填封装模盒，它包括镶件座（2）、成型镶件（4）和模盒推板（6），模盒推板（6）位于镶件座（2）的下方，模盒推板（6）上固接有若干个顶杆（5），成型镶件（4）上设有若干个用来封装的型腔（1），型腔（1）内设有通孔，顶杆（5）位于通孔内，其特征是所述的型腔（1）阵列在成型镶件（4）的两侧，成型镶件（4）的中间设有若干个料桶（3），料桶（3）与成型镶件（4）之间设有浇道镶件（8），浇道镶件（8）内设有浇道，料桶（3）通过浇道镶件内的浇道与型腔（1）管连通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
