[实用新型]硅基纳米结构光伏-热电联合转换太阳能电池有效
申请号: | 201120367445.5 | 申请日: | 2011-09-30 |
公开(公告)号: | CN202210532U | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 陶佰睿;苗凤娟;郑永杰;张景林;高万峰;佟璐 | 申请(专利权)人: | 齐齐哈尔大学 |
主分类号: | H01L31/058 | 分类号: | H01L31/058;H01L31/052;H01L31/048 |
代理公司: | 齐齐哈尔鹤城专利事务所 23207 | 代理人: | 刘丽 |
地址: | 161006 黑龙江*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种硅基纳米结构光伏-热电联合转换太阳能电池,是在传统单晶硅太阳能光伏电池体硅层的受光面上面通过化学湿法刻蚀技术制作硅纳米线阵列,并通过微氧化和无电镀技术制备出MIS-SiNWs结构,在体硅层上形成MIS-SiNWs结构层。在体硅层的底面刻蚀150μm左右深硅微通道,并在其表面电镀铝薄膜,在体硅层上形成MCP结构层。在MIS-SiNWs结构层上设有电池负极,在MCP结构层上设有电池正极。由于在单晶硅太阳能光伏电池结构基础上,通过构建MIS-SiNWs结构和MCP结构,提高光伏效率综合利用太阳光谱中红外频段及电池上下表面温差热电发电,可充分利用太阳能进行光伏-热电联合转换提高电能输出,是一种新型太阳能电池。 | ||
搜索关键词: | 纳米 结构 热电 联合 转换 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种硅基纳米结构光伏‑热电联合转换太阳能电池,是由体硅层、MIS‑SiNWs结构层、MCP结构层构成,其特征在于:在传统单晶硅太阳能光伏电池体硅层(1)的受光面上面通过化学湿法刻蚀技术制作硅纳米线阵列,并通过微氧化和无电镀技术制备出MIS‑SiNWs结构,在体硅层(1)上形成MIS‑SiNWs结构层(2);在体硅层(1)的底面刻蚀150 μm左右深硅微通道,并在其表面电镀铝薄膜,在体硅层(1)上形成MCP结构层(3);在MIS‑SiNWs结构层(2)上设有电池负极(5),在MCP结构层(3)上设有电池正极(4)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的