[实用新型]硅基纳米结构光伏-热电联合转换太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201120367445.5 申请日: 2011-09-30
公开(公告)号: CN202210532U 公开(公告)日: 2012-05-02
发明(设计)人: 陶佰睿;苗凤娟;郑永杰;张景林;高万峰;佟璐 申请(专利权)人: 齐齐哈尔大学
主分类号: H01L31/058 分类号: H01L31/058;H01L31/052;H01L31/048
代理公司: 齐齐哈尔鹤城专利事务所 23207 代理人: 刘丽
地址: 161006 黑龙江*** 国省代码: 黑龙江;23
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种硅基纳米结构光伏-热电联合转换太阳能电池,是在传统单晶硅太阳能光伏电池体硅层的受光面上面通过化学湿法刻蚀技术制作硅纳米线阵列,并通过微氧化和无电镀技术制备出MIS-SiNWs结构,在体硅层上形成MIS-SiNWs结构层。在体硅层的底面刻蚀150μm左右深硅微通道,并在其表面电镀铝薄膜,在体硅层上形成MCP结构层。在MIS-SiNWs结构层上设有电池负极,在MCP结构层上设有电池正极。由于在单晶硅太阳能光伏电池结构基础上,通过构建MIS-SiNWs结构和MCP结构,提高光伏效率综合利用太阳光谱中红外频段及电池上下表面温差热电发电,可充分利用太阳能进行光伏-热电联合转换提高电能输出,是一种新型太阳能电池。
搜索关键词: 纳米 结构 热电 联合 转换 太阳能电池
【主权项】:
一种硅基纳米结构光伏‑热电联合转换太阳能电池,是由体硅层、MIS‑SiNWs结构层、MCP结构层构成,其特征在于:在传统单晶硅太阳能光伏电池体硅层(1)的受光面上面通过化学湿法刻蚀技术制作硅纳米线阵列,并通过微氧化和无电镀技术制备出MIS‑SiNWs结构,在体硅层(1)上形成MIS‑SiNWs结构层(2);在体硅层(1)的底面刻蚀150 μm左右深硅微通道,并在其表面电镀铝薄膜,在体硅层(1)上形成MCP结构层(3);在MIS‑SiNWs结构层(2)上设有电池负极(5),在MCP结构层(3)上设有电池正极(4)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于齐齐哈尔大学,未经齐齐哈尔大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201120367445.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top