[实用新型]一种用于MOCVD反应腔的气体流量控制装置有效
申请号: | 201120368151.4 | 申请日: | 2011-09-29 |
公开(公告)号: | CN202359196U | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 魏强 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/18;C23C16/52 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 吴世华;冯志云 |
地址: | 201201 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型提供一种用于MOCVD反应腔的气体流量控制装置,其用于在MOCVD工艺中控制MO气源所提供的气体分配到反应腔不同区域的流量,其特征在于,至少包括:第一通道以及第二通道,所述MO气源至少通过所述第一通道以及所述第二通道分别与反应腔的第一区域与第二区域联通,其中,所述第一通道上包括一个压力控制器(PC),其用于控制通过所述第一通道内的气体,所述第二通道上包括一个流量控制器(MFC),其用于控制通过所述第二通道内的气体。通过将压力控制器与流量控制器分别设置在不同通道上,实现对反应腔内不同区域气体流量的控制,从而使得反应腔中沉积的物质更加均匀。同时还可以有效地控制MO气源的压力。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 mocvd 反应 气体 流量 控制 装置 | ||
【主权项】:
一种用于MOCVD反应腔的气体流量控制装置,其用于控制MO气源所提供的气体分配到反应腔不同区域的流量,其特征在于,至少包括:第一通道以及第二通道,所述MO气源至少通过所述第一通道以及所述第二通道分别与反应腔的第一区域与第二区域联通,其中,所述第一通道上包括一个压力控制器,其用于控制通过所述第一通道内的气体,所述第二通道上包括一个流量控制器,其用于控制通过所述第二通道内的气体。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的