[实用新型]LDMOS及集成LDMOS器件有效
| 申请号： | 201120374940.9 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN202275836U | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 乔明;毛焜;张波 | 申请（专利权）人： | 深圳市联德合微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳市兴科达知识产权代理有限公司 44260 | 代理人： | 王翀 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市南山区艺*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了LDMOS及集成LDMOS器件。一种半导体器件，包括位于p型衬底10中的LDMOS 1、CMOS 2、NPN 3和埋沟电阻4。其中LDMOS 1包括n型漂移区20、p+阱接触区40、p型体区70、n+源区50、n+漏区60、栅介质层100、源极金属80、漏极金属90、场氧化层110、金属前介质120，所述n型漂移区20与所述p型体区70间无间隔，还包括至少一个p型降场层30A和至少一个p型掩埋阱30B，所述p型掩埋阱30B位于所述p型体区70下且与所述p型体区70接触，所述p型降场层30A位于所述场氧化层110下、被所述n型漂移区20包围且与所述场氧化层110间有间隔。本实用新型的LDMOS具有低导通电阻和高耐压、易于集成且整个半导体器件的制造工艺步骤简单、对设备要求不高。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 集成 器件 | ||
【主权项】：
一种LDMOS，包括位于p型衬底(10)中的n型漂移区(20)、p+阱接触区(40)、p型体区(70)、n+源区(50)、n+漏区(60)、栅介质层(100)、源极金属(80)、漏极金属(90)、场氧化层(110)、金属前介质(120)，所述n型漂移区(20)与所述p型体区(70)间无间隔，其特征在于，还包括至少一个p型降场层(30A)和至少一个p型掩埋阱(30B)，所述p型掩埋阱(30B)位于所述p型体区(70)下且与所述p型体区(70)接触，所述p型降场层(30A)位于所述场氧化层(110)下、被所述n型漂移区(20)包围且与所述场氧化层(110)间有间隔。
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