[实用新型]等离子体增强化学气相沉积设备有效
申请号: | 201120376596.7 | 申请日: | 2011-09-27 |
公开(公告)号: | CN202246858U | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 张金中 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/455 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开一种等离子体增强化学气相沉积设备,为解决现有设备沉积薄膜的厚度均匀性不好的问题而设计。本实用新型等离子体增强化学气相沉积设备包括腔体、承载被沉积基板的下电极、包括气体扩散器的上电极、丝网、气流加速单元和抽气单元,所述腔体内设有丝网,所述丝网位于所述气体扩散器的近下电极侧。本实用新型等离子体增强化学气相沉积设备提高了气体浓度均匀性,且减少了粘滞流效应和热对流对气体均匀性的影响。本实用新型等离子体增强化学气相沉积设备在成膜反应过程中同时增加了反应气体流速和抽气速率,从而保证腔体内总的气体压力不变。因此没有降低沉积速率,即提高质量的同时保证了产能不受影响。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 增强 化学 沉积 设备 | ||
【主权项】:
一种等离子体增强化学气相沉积设备,包括:腔体,所述腔体内设有承载被淀积基板的下电极和包括气体扩散器的上电极,其特征在于:所述腔体内设有丝网,所述丝网位于所述气体扩散器的近下电极侧。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京京东方光电科技有限公司,未经北京京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201120376596.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种界面配置方法及装置
- 下一篇:电子产品及其性能参数的调节方法
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的