[实用新型]超结纵向双扩散金属氧化物半导体管

摘要

一种超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括一个或一个以上的管单元，管单元包括漏极金属，在漏极金属上设有作为漏区的重掺杂N型硅衬底，在硅衬底上设N型掺杂外延层，在外延层中设有P型掺杂柱状半导体区，在柱状半导体区上设有P型掺杂半导体体区，且体区位于N型掺杂外延层内，在体区中设有N型重掺杂半导体源区和P型重掺杂半导体接触区，在源区和接触区以外的N型掺杂外延层表面区域设有栅氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅，在多晶硅栅的上方及两侧设有氧化层，在源区和接触区上连接有源极金属，P型重掺杂半导体接触区左右两侧的突起部分将N型重掺杂半导体源区分割为三个不连通的块体，且N型重掺杂半导体源区呈现“品”字形状。

主权项

一种超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括一个或一个以上的管单元，所述的管单元包括：漏极金属（1），在漏极金属（1）上设有作为漏区的重掺杂N型硅衬底（2），在重掺杂N型硅衬底（2）上设有N型掺杂外延层（3），在N型掺杂外延层（3）中设有一排P型掺杂柱状半导体区（4），在P型掺杂柱状半导体区（4）上设有P型掺杂半导体体区（5），且P型掺杂半导体体区（5）位于N型掺杂外延层（3）内，在P型掺杂半导体体区（5）中设有N型重掺杂半导体源区（6）和P型重掺杂半导体接触区（7），在N型重掺杂半导体源区（6）和P型重掺杂半导体接触区（7）以外的N型掺杂外延层（3）表面区域设有栅氧化层（8），在栅氧化层（8）上方设有多晶硅栅（9），在多晶硅栅（9）的上方及两侧设有氧化层（10），在N型重掺杂半导体源区（6）和P型重掺杂半导体接触区（7）上连接有源极金属（11），其特征在于，P型重掺杂半导体接触区（7）左右两侧的突起部分将N型重掺杂半导体源区（6）均分割为三个不连通的块体，且N型重掺杂半导体源区（6）呈现“品”字形状。