[实用新型]表面场氧化层不连续的超结金属氧化物场效应管终端结构有效
| 申请号： | 201120391579.0 | 申请日： | 2011-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN202394981U | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 孙伟锋;张龙;祝靖;林颜章;马文力;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 汤志武 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种表面场氧化层不连续的超结金属氧化物场效应管终端结构，包括：兼做漏区的环形N型重掺杂硅衬底且所述N型重掺杂硅衬底的内、外边界为矩形，在N型重掺杂硅衬底下表面设置有漏极金属，在N型重掺杂硅衬底之上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层上设有超结结构，超结结构包括P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域，且型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域沿所述终端结构的纵向交替排列，其特征在于，在超结结构上设有二氧化硅区和条形二氧化硅，所述条形二氧化硅位于所述终端结构纵向边上，并且，沿所述终端结构纵向平行排列，所述二氧化硅区覆盖所述终端结构的横向边。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 氧化 连续 金属 氧化物 场效应 终端 结构 | ||
【主权项】：
一种表面场氧化层不连续的超结金属氧化物场效应管终端结构，包括：兼做漏区的环形N型重掺杂硅衬底(4)且所述N型重掺杂硅衬底(4)的内、外边界为矩形，在N型重掺杂硅衬底(4)下表面设置有漏极金属(11)，在N型重掺杂硅衬底(4)之上表面设有N型掺杂硅外延层(5)，在N型掺杂硅外延层(5)上设有超结结构，超结结构包括P型掺杂硅柱状区域(6)和N型掺杂硅柱状区域(7)，且P型掺杂硅柱状区域(6)和N型掺杂硅柱状区域(7)沿所述终端结构的纵向交替排列，其特征在于，在超结结构上设有二氧化硅区(8)和条形二氧化硅 (9)，所述条形二氧化硅 (9) 位于所述终端结构纵向边上，并且，沿所述终端结构纵向平行排列，所述二氧化硅区(8)覆盖所述终端结构的横向边。
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