[实用新型]单片双轴桥式磁场传感器有效
| 申请号： | 201120396342.1 | 申请日： | 2011-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN202305777U | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·G·迪克;金英西;沈卫锋;雷啸锋;薛松生 | 申请（专利权）人： | 江苏多维科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫;李艳 |
| 地址： | 215600 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种单片双轴桥式磁场传感器，该双轴桥式磁场传感器采用隧道结磁电阻元件在同一半导体基片上制备两种全桥磁场传感器以感应正交磁场分量。该传感器通过设置传感元件的形状和永磁偏置场以感应正交磁场分量。正交桥式传感器的偏置永磁体和参考层在在同一个磁场方向下初始化，不需要特殊的工艺，局部加热或在不同的工序中沉积其他磁性材料以实现双轴磁场传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 单片 双轴桥式 磁场 传感器 | ||
【主权项】：
单片双轴桥式磁场传感器，其特征在于：它包括一沿“Y”轴方向敏感的参考桥式传感器和一沿“X”轴方向敏感的推挽桥式传感器，所述参考桥式传感器包括参考元件和传感元件，所述推挽桥式传感器包括传感元件，其中 “X”轴和“Y”轴相正交。
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