[实用新型]带有屏蔽层的硅压阻式压力传感器芯片有效
| 申请号： | 201120401883.9 | 申请日： | 2011-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN202267554U | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 曹刚;刘胜;汪学方 | 申请（专利权）人： | 刘胜 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;G01L9/02 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 李平 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种带有屏蔽层的硅压阻式压力传感器芯片，包括：硅衬底、压敏电阻、金属导线、金属焊盘、保护层、屏蔽层cap、重掺杂硅导线，硅衬底上的压力膜片表面设有由数个压敏电阻组成的惠斯通电桥，压力膜片上设有保护层，数个压敏电阻经重掺杂硅导线、金属导线与保护层上的金属焊盘连接，其特征在于压力膜片与保护层之间设有一层用于改善传感器性能经过掺杂处理的屏蔽层cap，屏蔽层cap将保护层与压敏电阻隔离。本实用新型的优点是在压力膜片与保护层之间设有一层经过掺杂处理的屏蔽层，克服了压力传感器输出漂移的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 屏蔽 硅压阻式 压力传感器 芯片 | ||
【主权项】：
一种带有屏蔽层的硅压阻式压力传感器芯片，包括：硅衬底、压敏电阻、金属导线、金属焊盘、保护层、屏蔽层、重掺杂硅导线，硅衬底上的压力膜片表面设有由数个压敏电阻组成的惠斯通电桥，压力膜片上设有保护层，数个压敏电阻经重掺杂硅导线、金属导线与保护层上的金属焊盘连接，其特征在于压力膜片与保护层之间设有一层用于改善传感器性能经过掺杂处理的屏蔽层，屏蔽层将保护层与压敏电阻隔离。
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