[实用新型]工艺参数检测晶圆有效
| 申请号： | 201120402652.X | 申请日： | 2011-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN202473870U | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健;周梅生 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种工艺参数检测晶圆，包括：承载晶圆，所述承载晶圆包括一待测试膜层；以及多个用于测试所述待测试膜层的工艺参数的测试晶圆，设置在承载晶圆上；其中，所述测试晶圆为单层结构或多层结构；当所述测试晶圆为单层结构时，所述测试晶圆与所述待测试膜层的材料相同；当所述测试晶圆为多层结构时，所述测试晶圆上远离所述承载晶圆的膜层与所述待测试膜层的材料相同。本实用新型提供的工艺参数检测晶圆，实现使用同一个承载晶圆就可以完成多项工艺参数测量的目的，而不需要每测量一个工艺参数就引进一个新的检测晶圆，节省了测试时间，提高了测试效率。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺 参数 检测 | ||
【主权项】：
一种工艺参数检测晶圆，其特征在于，包括：承载晶圆，包括一待测试膜层；以及多个用于测试所述待测试膜层的工艺参数的测试晶圆，设置在承载晶圆上；其中，所述测试晶圆为多层结构，所述测试晶圆上远离所述承载晶圆的膜层与所述待测试膜层的材料相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
