[实用新型]整流二极管有效
| 申请号： | 201120403734.6 | 申请日： | 2011-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN202454561U | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 李治刿;张剑;俞建;李驰明 | 申请（专利权）人： | 四川太晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L23/31 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人： | 李顺德 |
| 地址： | 629000 四川省遂宁市开发*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及半导体器件，特别涉及一种整流二极管。本实用新型公开了一种整流二极管。本实用新型的技术方案是，整流二极管，包括管芯和引线，所述管芯由自上而下的N+层、N-层、P-层和P+层构成，所述N+层上表面和P+层下表面有欧姆接触层，所述引线与欧姆接触层连接，所述管芯涂覆有保护层。本实用新型的管芯，在进行P区杂质扩散时采用二次扩散工艺，在N-型单晶硅片上形成四层结构，即N+层、N-层、P-层和P+层，得到四层结构的管芯，提高了P区载流子有效浓度，并且改善了表面欧姆接触层的合金质量，降低了接触电阻，有效载流面积有所提高。本实用新型主要用于制造高耐压整流二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 整流二极管 | ||
【主权项】：
整流二极管，包括管芯和引线，其特征在于，所述管芯由自上而下的N+层、N‑层、P‑层和P+层构成，所述N+层上表面和P+层下表面有欧姆接触层，所述引线与欧姆接触层连接，所述管芯涂覆有保护层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川太晶微电子有限公司，未经四川太晶微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201120403734.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
