[实用新型]单一芯片推挽桥式磁场传感器有效
| 申请号： | 201120409446.1 | 申请日： | 2011-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN202421483U | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 金英西;雷啸锋;詹姆斯·G·迪克;沈卫锋;王建国;薛松生;黎伟 | 申请（专利权）人： | 江苏多维科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫;李艳 |
| 地址： | 215600 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型设计了一种磁场传感器，特别是在MTJ元件周围设置永磁体的单一芯片推挽桥式磁场传感器。一种单一芯片推挽桥式磁场传感器，它包括多个桥式连接的磁电阻元件，每个磁电阻元件包括具有敏感方向的敏感元件，敏感元件为MTJ元件、AMR元件或GMR元件，所述每个磁电阻元件的两侧设置有用于对所述磁电阻元件的磁化方向进行偏置的一对永磁体。通过设置永磁体的方向，两个自由层的磁化方向的夹角可以被预设，其相对于同一敏感方向有不同的响应。本实用新型设计的推挽桥式磁场传感器可以在单一基片上一次性成膜制备。同时我们可以设置通电线圈预设置自由层磁化方向或对其进行校准。 | ||
| 搜索关键词： | 单一 芯片 推挽桥式 磁场 传感器 | ||
【主权项】：
单一芯片推挽桥式磁场传感器，它包括多个桥式连接的磁电阻元件，每个磁电阻元件包括具有敏感方向的敏感元件，敏感元件为MTJ元件、AMR元件或GMR元件，其特征在于：所述每个磁电阻元件的两侧设置有用于对所述磁电阻元件的磁化方向进行偏置的一对永磁体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏多维科技有限公司，未经江苏多维科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201120409446.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种双向压力控制循环阀
- 下一篇：一种用于道路沥青的热稳定剂
