[实用新型]基于分形结构多带极化不敏感太赫兹超材料吸收器有效

专利信息
申请号: 201120410530.5 申请日: 2011-10-25
公开(公告)号: CN202259698U 公开(公告)日: 2012-05-30
发明(设计)人: 贺训军;王玥;齐迹;梅金硕;王建民;殷景华;桂太龙 申请(专利权)人: 哈尔滨理工大学
主分类号: H01Q17/00 分类号: H01Q17/00
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 张果瑞
地址: 150080 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 基于分形结构多带极化不敏感太赫兹超材料吸收器,属于电磁器件领域,本实用新型为解决现有的太赫兹超材料吸收器存在电磁波极化敏感和吸收带宽窄的问题。本实用新型包括衬底、下金属地板层、绝缘介质层和上金属层,衬底上依次设置下金属地板层、绝缘介质层和上金属层,所述上金属层由主谐振结构、次谐振结构和第三谐振结构构成,主谐振结构为十字交叉结构的偶极子,在主谐振结构的偶极子的每个末端均设置有一个次谐振结构,所述次谐振结构为十字交叉结构的偶极子,所述次谐振结构与主谐振结构为一体结构,在次谐振结构的三个外部末端均设置有一个第三谐振结构,所述第三谐振结构为十字交叉结构的偶极子,所述第三谐振结构与次谐振结构为一体结构。
搜索关键词: 基于 结构 极化 敏感 赫兹 材料 吸收
【主权项】:
基于分形结构多带极化不敏感太赫兹超材料吸收器,其特征在于,它包括衬底(1)、下金属地板层(2)、绝缘介质层(3)和上金属层(4),衬底(1)上依次设置有下金属地板层(2)、绝缘介质层(3)和上金属层(4),所述上金属层(4)由主谐振结构(5)、次谐振结构(6)和第三谐振结构(7)构成,主谐振结构(5)为十字交叉结构的偶极子,在主谐振结构(5)的偶极子的每个末端均设置有一个次谐振结构(6),所述次谐振结构(6)为十字交叉结构的偶极子,所述次谐振结构(6)与主谐振结构(5)为一体结构,在次谐振结构(6)的三个外部末端均设置有一个第三谐振结构(7),所述第三谐振结构(7)为十字交叉结构的偶极子,所述第三谐振结构(7)与次谐振结构(6)为一体结构。
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