[实用新型]直流双向驱动的电磁铁有效
| 申请号： | 201120412593.4 | 申请日： | 2011-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN202307406U | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 梁力;盛锦昌;梁少英;吕彬;梁亮 | 申请（专利权）人： | 浙江省新昌县康立电子有限公司 |
| 主分类号： | H01F7/18 | 分类号： | H01F7/18 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 连平 |
| 地址： | 312500 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 直流双向驱动的电磁铁，包括直流电磁铁，它由电磁铁正向吸合电路、反向释放电路和短路保护电路组成，对输入的控制信号先用隔离光耦隔离，再用隔离光耦的输出端控制正向吸合驱动MOS管和反向释放驱动MOS管的通断，当控制信号P1和P2均为高电平或低电平时，电磁铁状态保持不变；二个稳压管用于限压，防止两个MOS管的栅极由于过压而击穿；保险丝用于电磁铁短路保护。 | ||
| 搜索关键词： | 直流 双向 驱动 电磁铁 | ||
【主权项】：
直流双向驱动的电磁铁，包括直流电磁铁(L1)，其特征在于：它由电磁铁正向吸合电路、反向释放电路和短路保护电路组成；电磁铁正向吸合电路包括第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第一隔离光耦(U1)、第一稳压管(Z1)和N沟道MOS管(M1)；第一电阻(R1)的一端与控制信号输入端P1相连，第一电阻(R1)另一端与第一隔离光耦(U1)的输入端负极和第二隔离光耦(U2)的输入端正极相连，第一隔离光耦(U1)的正极与控制信号输入端P2和第二隔离光耦(U2)的输入端负极相连队；第一隔离光耦(U1)的输出集电极接地，第一隔离光耦(U1)的输出发射极接第二电阻(R2)的一端，第二电阻(R2)的另一端与N沟道MOS管(M1)的栅极、第一稳压管(Z1)的正极、第三电阻(R3)的一端相连；N沟道MOS管(M1)的源极与第一稳压管(Z1)的负极、第三电阻(R3)的另一端、‑24V电源相连；N沟道MOS管(M1)的漏极与P沟道MOS管(M2)的漏极、保险丝(FUSE1)的一端相连；电磁铁反向释放电路包括第一电阻(R1)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第二隔离光耦(U2)、第二稳压管(Z2)和P沟道MOS管(M2)，第一电阻(R1)的一端与控制信号输入端P1相连，第一电阻(R1)另一端与第二隔离光耦(U2)的输入端正极和第一隔离光耦(U1)的输入端负极相连，第二隔离光耦(U2)的负极与控制信号输入端P2和第一隔离光耦(U1)的输入端正极相连；第二隔离光耦(U2)的输出发射极接地，第二隔离光耦(U2)的输出集电极接第四电阻(R4)的一端，第四电阻(R4)的另一端与P沟道MOS管(M2)的栅极、第 二稳压管(Z2)的负极、第五电阻(R5)的一端相连；P沟道MOS管(M2)的源极与第二稳压管(Z2)的正极、第五电阻(R5)的另一端、+24V电源相连；P沟道MOS管(M2)的漏极与N沟道MOS管(M1)的漏极、保险丝(FUSE1)的一端相连；电磁铁保护电路的结构为，P沟道MOS管(M2)的漏极与反向释放N沟道MOS管(M1)的漏极、保险丝(FUSE1)的一端相连，保险丝(FUSE1)的另一端与直流电磁铁(L1)的一端相连，直流电磁铁(L1)的另一端接地。
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