[实用新型]一种有源箝位电路有效
| 申请号： | 201120418844.X | 申请日： | 2011-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN202275331U | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 周泽坤;代高强;石跃;王慧芳;明鑫;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G05F1/613 | 分类号： | G05F1/613 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 周永宏 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型属于集成电路技术领域，公开了一种有源箝位电路，具体包括：一限流电阻、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第一PMOS晶体管和一恒流源，其中，恒流源和第二NMOS晶体管、第一PMOS晶体管的尺寸确定了电路的箝位点稳定值。本实用新型的箝位电路克服了传统齐纳二极管箝位电路的缺陷，电路结构简单，可精确调节箝位点电压的稳定值，版图面积小，无需额外光刻板和工艺流程，成本低，可广泛应用于模拟或数模混合集成电路中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有源 箝位 电路 | ||
【主权项】：
一种有源箝位电路，其特征在于，包括：一限流电阻、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第一PMOS晶体管和一恒流源，其中，所述限流电阻，包括第一端子，用于接收一输入信号，以及第二端子，用于输出一输出信号；所述第一NMOS晶体管的漏极连接于所述限流电阻的第二端子，栅极接所述第一PMOS管的漏极，源极和衬底耦接至接地点；所述第二NMOS晶体管的栅极和漏极连接于所述限流电阻的第二端子，源极接所述第一PMOS管的源极，衬底耦接至接地点；所述第一PMOS管的栅极耦接至接地点，衬底接外部电源；所述恒流源，包括一正向端子，接所述第一NMOS晶体管的栅极，一负向端子，耦接至接地点。
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