[实用新型]硅晶片蚀刻废水处理系统有效

专利信息
申请号: 201120440800.7 申请日: 2011-10-31
公开(公告)号: CN202643489U 公开(公告)日: 2013-01-02
发明(设计)人: 施道可;范琼;潘加永;蒋丽;C·贝尔瑙尔 申请(专利权)人: 库特勒自动化系统(苏州)有限公司;无锡尚德太阳能电力有限公司
主分类号: C02F9/10 分类号: C02F9/10;C02F103/40
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 张萍;李炳爱
地址: 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型涉及一种硅晶片蚀刻废水处理系统,所述硅晶片蚀刻废水处理系统包括:A)与工作槽相连通以接收工作槽中的蚀刻废水从而分离出固体Si和残余废液的固液分离装置;B)用于接收所述残余废液的酸再生与硅再生系统,所述酸再生与硅再生系统与所述固液分离装置相连通;C)与所述酸再生与硅再生系统相连通以接收所述酸再生与硅再生系统导出的含固体Si、气体HF及多余H2SiF6溶液的混合物的减压蒸馏装置,所述减压蒸馏装置还与所述固液分离装置相连通;及D)与所述减压蒸馏装置以及工作槽相连通的酸性吸收塔。本实用新型实现了硅晶片蚀刻废水循环利用,从而减少酸腐蚀溶液的消耗,消除酸腐蚀废液的产生并避免有毒废气的排放,从而提供保护环境并提高了经济效益。
搜索关键词: 晶片 蚀刻 废水处理 系统
【主权项】:
一种硅晶片蚀刻废水处理系统,其特征在于,所述硅晶片蚀刻废水处理系统包括:A)与工作槽相连通以接收工作槽中的蚀刻废水从而分离出固体Si和残余废液的固液分离装置;B)用于接收所述残余废液的酸再生与硅再生系统,所述酸再生与硅再生系统与所述固液分离装置相连通;C)与所述酸再生与硅再生系统相连通以接收所述酸再生与硅再生系统导出的含固体Si、气体HF及多余H2SiF6溶液的混合物的减压蒸馏装置,所述减压蒸馏装置还与所述固液分离装置相连通;及D)与所述减压蒸馏装置以及工作槽相连通的酸性吸收塔。
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