[实用新型]用于拉制单晶硅的低能耗热场有效

专利信息
申请号: 201120442403.3 申请日: 2011-11-10
公开(公告)号: CN202297853U 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 王煜辉 申请(专利权)人: 常州华盛恒能光电有限公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B29/06
代理公司: 北京市惠诚律师事务所 11353 代理人: 王美华
地址: 213200 江苏省常州市金*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型涉及太阳能行业或半导体行业的硅单晶制造领域,尤其涉及一种用于拉制单晶硅的低能耗热场,包括设置在炉体内壁处的保温筒,加热器、石英坩埚、托碗、托座和托杆,加热器设置在保温筒的内圈,石英坩埚设置在加热器的内腔,石英坩埚的外部包覆有托碗,托座安装在托碗的底部并由托杆支撑,在石英坩埚的上部设置有热屏,热屏分为内热屏和外热屏,内热屏与外热屏之间具有厚度为35~80mm的绝热层。本实用新型的用于拉制单晶硅的低能耗热场通过在内、外热屏之间增设绝热层,有效的阻止了热量从热屏向上炉腔和晶体的传递,显著降低了拉晶能耗,本实用新型还能提高拉晶速度,提高成品质量,延长热场零部件使用寿命,降低成本。
搜索关键词: 用于 拉制 单晶硅 能耗
【主权项】:
一种用于拉制单晶硅的低能耗热场,包括设置在炉体内壁处的保温筒(1),加热器、石英坩埚(2)、托碗(3)、托座(4)和托杆(5),加热器设置在保温筒(1)的内圈,石英坩埚(2)设置在加热器的内腔,石英坩埚(2)的外部包覆有托碗(3),所述的托座(4)安装在托碗(3)的底部并由托杆(5)支撑,其特征在于:在石英坩埚(2)的上部设置有热屏,所述的热屏分为内热屏(6‑1)和外热屏(6‑2),内热屏(6‑1)与外热屏(6‑2)之间具有厚度为35~80mm的绝热层(7)。
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