[实用新型]步进式光刻机的光罩遮掩单元有效
申请号: | 201120452120.7 | 申请日: | 2011-11-15 |
公开(公告)号: | CN202372752U | 公开(公告)日: | 2012-08-08 |
发明(设计)人: | 刘庆锋;王诚 | 申请(专利权)人: | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/62 | 分类号: | G03F1/62;G03F7/20 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈亮 |
地址: | 200233 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供一种步进式光刻机的光罩遮掩单元,包括:光罩遮掩单元本体;四个底座,分别位于光罩遮掩单元本体的四个底角上,支撑光罩遮掩单元本体;以及四个垫片,分别设置于四个底座与光罩遮掩单元本体之间,将光罩遮掩单元本体垫高。该垫片的高度可为0.8毫米。本实用新型通过安装垫片的方法提高光罩遮掩单元的安装高度,从而缩小曝光区域,减小半阴影区域部分,提高精确度。 | ||
搜索关键词: | 步进 光刻 遮掩 单元 | ||
【主权项】:
一种步进式光刻机的光罩遮掩单元,其特征在于,包括:光罩遮掩单元本体;四个底座,分别位于所述光罩遮掩单元本体的四个底角上,支撑所述光罩遮掩单元本体;以及四个垫片,分别设置于四个所述底座与所述光罩遮掩单元本体之间,将所述光罩遮掩单元本体垫高。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海先进半导体制造股份有限公司,未经上海先进半导体制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201120452120.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:显影槽中印版导向装置
- 下一篇:电力系统气象数据观测装置
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备