[实用新型]具有超结结构的半导体器件有效
| 申请号： | 201120459188.8 | 申请日： | 2011-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN202423296U | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;叶鹏;李宗青 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种具有超结结构的半导体器件，其包括位于半导体基板上的元件区域和周边区域；在半导体器件的截面上，在半导体基板的第一导电类型外延层内包括若干对具有第一导电类型的第一柱和具有第二导电类型的第二柱；第一柱与第二柱沿着电流流通的方向在半导体基板的第一导电类型外延层内延伸；在垂直电流流通的方向上，由所述第一柱和第二柱构成的多对PN柱交替连接设置，以在半导体基板内形成超结结构；超结结构存在于元件区域与周边区域；周边区域内超结结构对应PN柱接触面的晶面与元件区域内超结结构对应PN柱接触面的晶面属于相同晶面簇。本实用新型耐压一致性和可靠性好，制造工艺简单，制造成本低廉，适宜于批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种具有超结结构的半导体器件，在所述半导体器件的俯视平面上，包括位于半导体基板上的元件区域和周边区域，所述元件区域位于半导体基板的中心区，周边区域位于元件区域的外围，并且环绕包围所述元件区域；其特征是：在所述半导体器件的截面上，在半导体基板的第一导电类型外延层内包括若干对具有第一导电类型的第一柱和具有第二导电类型的第二柱；所述具有第一导电类型的第一柱与具有第二导电类型的第二柱沿着电流流通的方向在半导体基板的第一导电类型外延层内延伸；在垂直电流流通的方向上，由所述第一柱和第二柱构成的多对PN柱交替连接设置，以在半导体基板内形成超结结构； 所述超结结构存在于元件区域与周边区域；所述周边区域内超结结构对应PN柱接触面的晶面与所述元件区域内超结结构对应PN柱接触面的晶面属于相同晶面簇。
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