[实用新型]熔料保温盖与半导体长晶炉有效

专利信息
申请号: 201120462100.8 申请日: 2011-10-31
公开(公告)号: CN202390563U 公开(公告)日: 2012-08-22
发明(设计)人: 王志德;朱彦勋 申请(专利权)人: 昆山中辰矽晶有限公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B15/10;C30B15/14;C30B15/20;C30B29/06;H01L21/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215316 江*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本创作提供一种熔料保温盖与使用该熔料保温盖的半导体长晶炉,该半导体长晶炉包括有一坩锅、至少一加热器、至少一绝热单元、一热屏蔽及该熔料保温盖;该加热器设置于坩锅的邻近周边,该绝热单元包覆于加热器与该坩锅外侧,该热屏蔽设置于坩锅上方,该热屏蔽内定义有一容置通道;该熔料保温盖位于容置通道内呈往覆移动状态,该些板体以其一面朝向坩锅;所以,该熔料保温盖用以反射热辐射能量,降低热能散失。
搜索关键词: 保温 半导体 长晶炉
【主权项】:
一种熔料保温盖,其包括:复数个板体;至少一支撑件,该支撑件串接该复数个板体,使该些板体的面与面相间隔而对应设置;所以,该复数个板体用以反射热辐射能量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山中辰矽晶有限公司,未经昆山中辰矽晶有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201120462100.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top