[实用新型]熔料保温盖与半导体长晶炉有效
申请号: | 201120462100.8 | 申请日: | 2011-10-31 |
公开(公告)号: | CN202390563U | 公开(公告)日: | 2012-08-22 |
发明(设计)人: | 王志德;朱彦勋 | 申请(专利权)人: | 昆山中辰矽晶有限公司 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B15/10;C30B15/14;C30B15/20;C30B29/06;H01L21/02 |
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地址: | 215316 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本创作提供一种熔料保温盖与使用该熔料保温盖的半导体长晶炉,该半导体长晶炉包括有一坩锅、至少一加热器、至少一绝热单元、一热屏蔽及该熔料保温盖;该加热器设置于坩锅的邻近周边,该绝热单元包覆于加热器与该坩锅外侧,该热屏蔽设置于坩锅上方,该热屏蔽内定义有一容置通道;该熔料保温盖位于容置通道内呈往覆移动状态,该些板体以其一面朝向坩锅;所以,该熔料保温盖用以反射热辐射能量,降低热能散失。 | ||
搜索关键词: | 保温 半导体 长晶炉 | ||
【主权项】:
一种熔料保温盖,其包括:复数个板体;至少一支撑件,该支撑件串接该复数个板体,使该些板体的面与面相间隔而对应设置;所以,该复数个板体用以反射热辐射能量。
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