[实用新型]一种以不同材料形成分区的静电吸盘有效
申请号: | 201120470232.5 | 申请日: | 2011-11-23 |
公开(公告)号: | CN202332816U | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 倪图强;欧阳亮;陶铮;王俊 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 张静洁;徐雯琼 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种以不同材料形成分区的静电吸盘,为了加快晶片上某一区域刻蚀等反应的处理速率,可以在静电吸盘上对应位置形成导电性更好的介电层分区,增强该分区上的射频耦合能量,来增强等离子体的浓度;或者是在静电吸盘上对应位置形成导热性更好的介电层分区,通过提升该分区的温度,来加快对应晶片区域的化学反应速率。反之,采用导电或导热性能相反的材料所制成的分区,就会降低对应晶片区域的处理速率。因此,本实用新型所述静电吸盘中,为了抵消原先例如反应腔内气体不均匀分布的影响,利用了介电层上各个分区材料不同的导电或导热性能,能够对应调整对晶片相应区域的处理反应速率,改善晶片表面处理的均匀性。 | ||
搜索关键词: | 一种 不同 材料 形成 分区 静电 吸盘 | ||
【主权项】:
一种以不同材料形成分区的静电吸盘,其设置在等离子体处理装置的反应腔(100)内,在该反应腔(100)内通过接收射频能量,产生反应气体的等离子体对晶片(50)进行处理;所述静电吸盘包含介电层(20)及其中埋设的直流电极(30);在等离子体处理过程中,所述直流电极(30)上连通电源后产生的静电力,对放置在静电吸盘顶面上的所述晶片(50)进行固定,其特征在于,所述静电吸盘的介电层(20)包含由不同材料制成的若干个分区,所述各个分区的位置与其上方晶片(50)上划分的若干个区域相对应;制成所述各个分区的材料具有不同的导电性能或导热性能,使得所述晶片(50)的对应区域上通过等离子体进行处理的反应速率不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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