[实用新型]改善电流传输堵塞的LED芯片结构有效
| 申请号： | 201120479097.0 | 申请日： | 2011-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN202405304U | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 邓群雄;郭文平;柯志杰;黄慧诗 | 申请（专利权）人： | 江苏新广联科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/36 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214111 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种改善电流传输堵塞的LED芯片结构，其包括衬底及位于衬底上方的P电极与N电极；N电极与衬底上方的N型氮化镓层电连接；所述N型氮化镓层内设有改善传输槽，所述改善传输槽在N型氮化镓层内从N型氮化镓层表面向衬底方向延伸，所述N电极填充于改善传输槽内，并覆盖于N型氮化镓层对应的表面。本实用新型通过位于改善传输槽内的N电极能分担相应的电势线，避免电势线聚集在N电极与N型氮化镓层的结合部，能扩大电势线的接触面积，避免电势线过渡聚集时产生电流堵塞，降低电流堵塞产生的发热现象，同时，能够提高LED芯片的出光效率；结构简单紧凑，与现有加工工艺相兼容，延长了LED芯片使用寿命，安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 电流 传输 堵塞 led 芯片 结构 | ||
【主权项】：
一种改善电流传输堵塞的LED芯片结构，包括衬底（1）及位于所述衬底（1）上方的P电极（6）与N电极（9）；所述N电极（9）与衬底（1）上方的N型氮化镓层（2）电连接；其特征是：所述N型氮化镓层（2）内设有改善传输槽（8），所述改善传输槽（8）在N型氮化镓层（2）内从N型氮化镓层（2）表面向衬底（1）方向延伸，所述N电极（9）填充于改善传输槽（8）内，并覆盖于N型氮化镓层（2）对应的表面。
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