[实用新型]多基岛埋入单圈脚静电释放圈无源器件球栅阵列封装结构有效
| 申请号： | 201120486291.1 | 申请日： | 2011-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN202394942U | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 王新潮;梁志忠;谢洁人;吴昊 | 申请（专利权）人： | 江苏长电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司： | 江阴市同盛专利事务所 32210 | 代理人： | 唐纫兰 |
| 地址： | 214434 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种多基岛埋入单圈脚静电释放圈无源器件球阵列封装结构，它包括外引脚（1）和外静电释放圈（2），所述外引脚（1）正面通过多层电镀方式形成内引脚（4），所述外静电释放圈（2）内部通过多层电镀方式形成内基岛（3），所述内基岛（3）正面设置有芯片（6），所述芯片（6）正面与内引脚（4）正面之间以及芯片（6）正面与芯片（6）正面之间用金属线（7）连接，所述内引脚（4）与内引脚（4）之间跨接有无源器件（12），所述外引脚（1）和外静电释放圈（2）的背面设置有锡球（10）。本实用新型的有益效果是：它省去了背面的耐高温胶膜，降低了封装成本，金属线键合的质量与产品可靠度的稳定性好，实现了内引脚的高密度能力。 | ||
| 搜索关键词： | 多基岛 埋入 单圈脚 静电 释放 无源 器件 阵列 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种多基岛埋入单圈脚静电释放圈无源器件球栅阵列封装结构，其特征在于：它包括外引脚（1）和外静电释放圈（2），所述外引脚（1）正面通过多层电镀方式形成内引脚（4），所述外静电释放圈（2）正面通过多层电镀方式形成内静电释放圈（5），所述外静电释放圈（2）内部通过多层电镀方式形成内基岛（3），所述内基岛（3）有多个，所述内基岛（3）正面设置有芯片（6），所述芯片（6）正面与内引脚（4）正面之间、芯片（6）正面与内静电释放圈（5）正面之间以及芯片（6）正面与芯片（6）正面之间用金属线（7）连接，所述内引脚（4）与内引脚（4）之间跨接有无源器件（12），所述内基岛（3）和内引脚（4）上部以及芯片（6）和金属线（7）外包封有塑封料（8），所述外引脚（1）外围的区域、外静电释放圈（2）与外引脚（1）之间的区域以及外引脚（1）与外引脚（1）之间的区域均嵌置有填缝剂（11），且外引脚（1）和外静电释放圈（2）的背面露出填缝剂（11）外，在露出填缝剂（11）外的外引脚（1）和外静电释放圈（2）的背面设置有锡球（10）。
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