[实用新型]光敏面电极结构有效
申请号: | 201120491063.3 | 申请日: | 2011-12-01 |
公开(公告)号: | CN202339922U | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 王云生 | 申请(专利权)人: | 上海德凯仪器有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人: | 何新平 |
地址: | 200083 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型的目的在于提供一种光敏面电极结构,它包括光敏面、电极引线和焊接盘,光敏面和焊接盘通过电极引线互相连接,所述电极引线包括一V型部及一水平部,所述V型部的上部两端分别连接光敏面,所述V型部的底部与所述水平部的一端连接,所述水平部的另一端连接焊接盘;与现有技术相比,有效地减少了两光敏面间的热传导,提高灵敏度和图像清晰度,采用导电胶将焊接盘直接与设备管座的接地脚粘合,增强连接的牢固度,工艺简单,不会引起的振动噪声,提高红外传感器的探测率,实现本实用新型的目的。 | ||
搜索关键词: | 光敏 电极 结构 | ||
【主权项】:
一种光敏面电极结构,它包括光敏面、电极引线和焊接盘,光敏面和焊接盘通过电极引线互相连接,其特征在于,所述电极引线包括一V型部及一水平部,所述V型部的上部两端分别连接光敏面,所述V型部的底部与所述水平部的一端连接,所述水平部的另一端连接焊接盘。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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