[实用新型]一种新型肖特基倒封装芯片有效
| 申请号： | 201120491498.8 | 申请日： | 2011-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN202363463U | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 王兴龙;李述州 | 申请（专利权）人： | 重庆平伟实业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/872 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 405200 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种新型肖特基倒封装芯片，包括封装体、芯片正极、芯片负极、硅片、硅片正极和硅片负极，所述硅片正极和所述芯片正极连接，所述硅片负极和所述芯片负极连接，所述硅片正极和所述硅片负极位于所述硅片的同一侧面；所述硅片正极位于所述硅片的表面上，所述硅片正极的旁边设置有凹槽，所述硅片负极位于所述凹槽内。由于本实用新型将硅片正极和硅片负极设置于硅片的同一侧面，使整个产品的厚度大大降低；由于将硅片负极设置于凹槽内，并在硅片正极和硅片负极之间设置隔离沟槽，不但使整个产品的厚度进一步降低，而且使硅片正极和硅片负极之间的隔离性能更好，完全满足各种电路对正、负极之间隔离性能的高要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 肖特基倒 封装 芯片 | ||
【主权项】：
一种新型肖特基倒封装芯片，包括封装体、芯片正极、芯片负极、硅片、硅片正极和硅片负极，所述硅片正极和所述芯片正极连接，所述硅片负极和所述芯片负极连接，其特征在于：所述硅片正极和所述硅片负极位于所述硅片的同一侧面，所述硅片正极位于所述硅片的表面上，所述硅片正极的旁边设置有凹槽，所述硅片负极位于所述凹槽内。
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