[实用新型]一种多晶硅β辐射伏特效应同位素电池有效

专利信息
申请号: 201120496612.6 申请日: 2011-12-05
公开(公告)号: CN202677861U 公开(公告)日: 2013-01-16
发明(设计)人: 熊平;郭萍;李广;谢玉琪 申请(专利权)人: 郭萍;南华大学
主分类号: G21H1/06 分类号: G21H1/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 421001 湖南省衡阳*** 国省代码: 湖南;43
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种多晶硅β辐射伏特效应同位素电池,该器件的结构包括:多晶硅PN结、63Ni长寿命放射性同位素材料及屏蔽盒。该器件以金属泡沫镍材料经高通量工程试验反应堆(HFETR)辐照制成的63Ni长寿命放射性同位素材料为β辐射伏特效应放射源。将63Ni长寿命放射性同位素材料放置于多晶硅PN结之间,制成“夹心”式同位素电池。该器件以63Ni长寿命放射性同位素材料为β辐射伏特效应放射源,实现在β辐射伏特效应作用下,电子在多晶硅PN结迁移形成电势差。本器件为新型结构的核电转换器件,器件能量转换效率高,能创造很好的经济效益。
搜索关键词: 一种 多晶 辐射 伏特 效应 同位素 电池
【主权项】:
一种多晶硅β辐射伏特效应同位素电池,该同位素电池至少包含一个β辐射伏特效应放射源、两个多晶硅PN结和一个屏蔽盒,其特征在于同位素电池由两个多晶硅PN结的N型半导体相对,中间夹有β辐射伏特效应放射源并将多晶硅PN结置于屏蔽盒内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于郭萍;南华大学,未经郭萍;南华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201120496612.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top