[实用新型]一种多晶硅β辐射伏特效应同位素电池有效
申请号: | 201120496612.6 | 申请日: | 2011-12-05 |
公开(公告)号: | CN202677861U | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 熊平;郭萍;李广;谢玉琪 | 申请(专利权)人: | 郭萍;南华大学 |
主分类号: | G21H1/06 | 分类号: | G21H1/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 421001 湖南省衡阳*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种多晶硅β辐射伏特效应同位素电池,该器件的结构包括:多晶硅PN结、63Ni长寿命放射性同位素材料及屏蔽盒。该器件以金属泡沫镍材料经高通量工程试验反应堆(HFETR)辐照制成的63Ni长寿命放射性同位素材料为β辐射伏特效应放射源。将63Ni长寿命放射性同位素材料放置于多晶硅PN结之间,制成“夹心”式同位素电池。该器件以63Ni长寿命放射性同位素材料为β辐射伏特效应放射源,实现在β辐射伏特效应作用下,电子在多晶硅PN结迁移形成电势差。本器件为新型结构的核电转换器件,器件能量转换效率高,能创造很好的经济效益。 | ||
搜索关键词: | 一种 多晶 辐射 伏特 效应 同位素 电池 | ||
【主权项】:
一种多晶硅β辐射伏特效应同位素电池,该同位素电池至少包含一个β辐射伏特效应放射源、两个多晶硅PN结和一个屏蔽盒,其特征在于同位素电池由两个多晶硅PN结的N型半导体相对,中间夹有β辐射伏特效应放射源并将多晶硅PN结置于屏蔽盒内。
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