[实用新型]一种具有高深宽比微流道的微流控芯片有效

专利信息
申请号: 201120502783.5 申请日: 2011-12-06
公开(公告)号: CN202433389U 公开(公告)日: 2012-09-12
发明(设计)人: 项楠;倪中华;陈科;孙东科;易红 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: G01N35/00 分类号: G01N35/00;B81B1/00
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 210096 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种具有高深宽比微流道的微流控芯片,包括上层基片和下层基片,所述上层基片和下层基片材质均为透明聚二甲基硅氧烷,且均具有低深宽比的微结构,所述上层基片与下层基片重叠结合在一起使所述微结构连通形成微流道,所述上层基片微结构的两端分别设有通孔,该通孔分别作为所述微流道的入口和出口。本实用新型成本低,工艺简单设备要求低,能利用低深宽比微流道的基片快速的在实验室制得;且无需对基片厚度的精准控制,避免了繁琐的多次定位对准工序。
搜索关键词: 一种 具有 高深 微流道 微流控 芯片
【主权项】:
一种具有高深宽比微流道的微流控芯片,其特征在于:包括上层基片(1)和下层基片(2),所述上层基片(1)和下层基片(2)材质均为透明聚二甲基硅氧烷,且均具有低深宽比的微结构;所述上层基片(1)与下层基片(2)叠合在一起使所述微结构连通形成微流道,所述上层基片(1)微结构的两端分别设有通孔,该通孔分别作为所述微流道的入口(4)和出口(5)。
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