[实用新型]SF6断路器旋磁式灭弧室结构有效
申请号: | 201120511752.6 | 申请日: | 2011-12-09 |
公开(公告)号: | CN202434416U | 公开(公告)日: | 2012-09-12 |
发明(设计)人: | 刘晓明;曹云东;吕东旭 | 申请(专利权)人: | 沈阳工业大学 |
主分类号: | H01H33/70 | 分类号: | H01H33/70;H01H33/18 |
代理公司: | 沈阳亚泰专利商标代理有限公司 21107 | 代理人: | 郭元艺 |
地址: | 110870 辽宁省沈阳市沈阳*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型属高压SF6断路器领域,尤其涉及SF6断路器旋磁式灭弧室结构,它包括静触头(1)、旋转磁场发生装置(3)及动触头(2);所述旋转磁场发生装置(3)固定设于静触头(1)及动触头(2)的端部附近;所述轴向旋转磁场发生装置采用硅钢圆筒型;所述旋转磁场发生装置(3)包括硅钢圆筒(5)及线圈绕组(4);在所述硅钢圆筒(5)上等份开有绕组槽;在所述绕组槽内置入线圈绕组(4);所述绕组槽的个数为6~50个;所述绕组槽的槽宽为2.5~3mm。本实用新型可使电弧迅速冷却熄灭,减少触头烧蚀,保护触头结构,绝缘性能好,提高了高压断路器开断能力及运行可靠性,延长了高压断路器的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | sf sub 断路器 旋磁式灭弧室 结构 | ||
【主权项】:
SF6断路器旋磁式灭弧室结构,其特征在于,包括静触头(1)、旋转磁场发生装置(3)及动触头(2);所述旋转磁场发生装置(3)固定设于静触头(1)及动触头(2)的端部附近。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳工业大学,未经沈阳工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201120511752.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:延迟保护装置
- 下一篇:介质输送装置、扫描装置、记录装置
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法